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新品促销！厂价直销 3CG13F三极管 质量保证、现货热卖中
品牌：国产型号：3CG13F用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-12-15 |
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超低价！！大量现货 3AD55B三极管 质量保证、厂家直销
品牌：国产型号：3AD55B用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-12-10 |
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超低价！！大量现货 3AD52C三极管 质量保证、厂家直销
品牌：国产型号：3AD52C用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-12-08 |
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新品促销！厂价直销 3CK7A三极管 质量保证、现货热卖中
品牌：国产型号：3CK7A用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-12-03 |
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新品促销！厂价直销 3CK7B三极管 质量保证、现货热卖中
品牌：国产型号：3CK7B用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-12-03 |
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超低价！！大量现货 3AD53A三极管 质量保证、厂家直销
品牌：国产型号：3AD53A用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-12-03 |
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超低价！！大量现货 3CD3D三极管 质量保证、厂家直销
品牌：国产型号：3CD3D用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-11-27 |
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超低价！！大量现货 3AD50C三极管 质量保证、厂家直销
品牌：国产型号：3AD50C用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-11-13 |
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