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供应超低价现货3DA32B三极管保证质量—骊欣电子
品牌：国产型号：3DA32B用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-06-02 |
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新品促销！厂价直销 3CK4D三极管 质量保证、现货热卖中
品牌：国产型号：3CK4D用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-05-30 |
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新品促销！厂价直销 3CA3B三极管 质量保证、现货热卖中
品牌：国产型号：3CA3B用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-05-22 |
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新品促销！厂价直销 3CG4A三极管 质量保证、现货热卖中
品牌：国产型号：3CG4A用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-05-21 |
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新品促销！厂价直销 3CD3B三极管 质量保证、现货热卖中
品牌：国产型号：3CD3B用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-05-16 |
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超低价！！大量现货 3AD50A三极管 质量保证、厂家直销
品牌：国产型号：3AD50A用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-05-16 |
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新品促销！厂价直销 3CG35A三极管 质量保证、现货热卖中
品牌：国产型号：3CG35A用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-05-04 |
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供应超低价现货3DA36B三极管保证质量—骊欣电子
品牌：国产型号：3DA36B用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：100WW频率特性：1MHzMHz工作电压：1VV工作电流：1AA电流放大倍数：详见参数反向击穿电压：详见参数V穿透电流：标准A极间反向饱和电流：标准A封装形式：B-1B-3 ，B-4型3DD系列：抗烧毁能力强，二次
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2019-04-28 |
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